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彻底碾压任何对手:三星新专利闪存要堆100层
发布时间:2016-08-15 09:30:41   来源:本站   浏览:
东芝、美光近来积极布局3D立体堆叠的NAND闪存架构,东芝已经做到64层,让这方面的领导者三星感到压力山大,日前也宣布了自己的第四代V-NAND,同样达到64层,存储密度比现在提高30%,硬盘最大容量可以做到惊人的32TB。
 
据韩国媒体报道,基于第四代V-NAND闪存的三星固态硬盘将在今年第四季度上市,但具体产品不详——860 EVO?
  
三星2013年全球第一家量产了3D NAND,第一代24层,第二代增加到32层,当前的第三代为48层。
 
统筹三星半导体部门的金奇南社长还透露:“预计在不久的将来,三星将会推出100层以上堆叠的1TB等级的闪存产品。

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来源:中关村在线

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